Lichtinduzierte Degradation beeinträchtig die Leistung von Solarzellen und –modulen, kurz nachdem sie direktem Lichteinfall ausgesetzt waren. Dieser Effekt gilt in der PV-Branche insbesondere bei p-Type-basierten Solarprodukten als unvermeidbar. Der Leistungsabfall kann bis zu fünf Prozent der eigentlichen Spezifikation des betreffenden Moduls betragen. Dabei erzeugt das Sonnenlicht Bor (das Dotierungsmittel bei p-Type- basierten Silizium-Wafern), das sich mit Sauerstoff, der als Verunreinigung in den Wafern enthalten ist, verbindet. Die Bor-Sauerstoff-Verbindung in den Zellen ist die Hauptursache für die lichtinduzierte Degradation.

Der Vorschlag vieler Forscher, Gallium-dotierte Siliziumwafer anstelle von Bor-dotierten und MCz (Magnetisch begrenzte Czochralski)-Wafern mit niedriger Sauerstoffkonzentration zu nutzen, um die LID zu reduzieren, setzte sich aufgrund höherer Kosten und aufwändiger Produktionsprozesse nicht durch. Mit der neuen LG-Technologie lässt sich die Bor-Sauerstoff-Verbindung einfach unterdrücken. Der LID-Effekt wird durch die Bildung einer Bor-Wasserstoff-Verbindung unterbunden, der die Leistungsfähigkeit der Zelle nicht beeinträchtigt.

„LG Electronics investiert hohe Beträge in den Bereich Forschung und Entwicklung, um seinen Kunden zu jeder Zeit hochwertige und zuverlässige Solartechnologie bieten zu können. Ein weiteres Resultat unserer unermüdlichen Forschungsarbeit ist die neue Technologie, mit der wir den LID-Effekt deutlich reduzieren können, ohne dabei Fertigungsprozesse oder Materialkosten anheben zu müssen“, erklärt Michael Harre, Vice President der EU Solar Business Group bei LG Electronics. „Dank der neuesten Erkenntnisse sind wir in der Lage, unseren Kunden zuverlässige Solartechnik zu konkurrenzfähigen Preisen bieten zu können.“