Die 1.700 V Z-Rec Schottkydioden sollen Schluss mit den Sperrverzögerungs-Verlusten alternativer Silizium-PiN-Dioden machen und effiziente sowie kompaktere und leichtere Systeme ermöglichen. Die neu vorgestellten Produkte eignen sich für Solar-, Motortreiber- und Traktionsanwendungen. Die Z-Rec-Technologie sollen Performance-Steigerungen und Systemkosten-Ersparnisse in Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme ermöglichen, die aus diskreten Bausteinen aufgebaut sind. „Die 1.700 V Siliziumkarbid-Schottkydioden von Cree wurden speziell für hocheffiziente Leistungselektronik entwickelt“, erläutert Stephan Greiner, Vice President EMEA bei Cree. „Alle diese Produkte bieten die bewährten Vorzüge der Z-Rec SiC-Schottkydioden von Cree, denn sie sind frei von Sperrverzögerungs-Verlusten, haben temperaturunabhängige Schalteigenschaften und eignen sich für hohe Frequenzen.“ Für Kunden, die ihre eigenen Power-Module entwickeln, gibt es die 1.700 V Bausteine schon seit einiger Zeit als Bare-Die-Versionen. Die neuen Bauelemente im TO-247-2-Gehäuse bringen die Vorteile der SiC-Technologie auch für 1.700 V Designs mit geringer Leistungsaufnahme. Sie sollen mehr Designflexibilität bei der Festlegung der Ströme bieten und so eine schnellere Markteinführung ermöglichen.
Reduzierung
Greiner weiter: „Die Verfügbarkeit der SiC-Schottkydioden mit 1.700 V Nennspannung bietet Designingenieuren in Leistungs-Anwendungen mit höherer Spannung eine ganze Reihe Vorteile. Unter anderem sorgen Siliziumkarbid-Dioden für maximale Energieeffizienz und bessere EMI-Eigenschaften. Die reduzierten Schaltverluste ermöglichen höhere Systemfrequenzen und gestatten damit die Verwendung kleinerer magnetischer und kapazitiver Bauelemente. Deutliche Reduzierungen der Systemabmessungen, des Gewichts und der Kosten werden damit möglich. Mit der Verfügbarkeit von SiC-Dioden für 1.700 V ist es zudem nicht mehr notwendig, mehrere Siliziumdioden mit niedrigerer Nennspannung zu kaskadieren. Der Bauteileaufwand sinkt, die thermischen Eigenschaften verbessern sich und auch die Zuverlässigkeit profitiert.“ Die neuen Cree SiC-Schottkydioden der Serie C3Dxx170H sind für 10 A/1.700 V bzw. 25 A/1.700 V spezifiziert und werden im Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-247-2 angeboten. Der Betriebstemperaturbereich beträgt 55 °C bis +175 °C.